全球声学滤波器技术发展趋势

发布时间：2023-10-15 08:25:44来源：伊莱（深圳）电气有限公司

一、TCSAW 对于声表面波器件来说，对温度非常敏感。

在较高温度下，衬底材料的硬度易于下降，声波速度也因此下降。由于保护频带越来越窄，并且消费设备的指定工作温度范围较大（通常为℃至℃），因此这种局限性的影响越来越严重。一种替代方法是使用温度补偿（TCSAW）滤波器，它是在IDT的结构上另涂覆一层在温度升高时刚度会加强的涂层。温度未补偿SAW器件的频率温度系数（TCF）通常约为ppm/℃，而TCSAW滤波器则降至到ppm/℃。但由于温度补偿工艺需要加倍的掩模层，所以，TCSAW滤波器更复杂、制造成本也相对更高。目前TCSAW技术越来越成熟，国外大厂基本都有推出相应产品，在手机射频前端取得不少应用，而国内的工艺仍需要摸索。二、高频SAW 普通SAW基本上是GHz以下，村田开发出克服以往声表面波弱点的 I.H.P.SAW（Incredible High PerformanceSAW）。村田意将SAW技术发挥到完美（GHz以下），目前量产的频率可达.GHz。图I.H.P.SAW的基本结构 I.H.P.SAW可以实现与BAW相同或高于BAW的特性，并兼具了BAW的温度特性、高散热性的优点，具体如下：（）高Q值：在.GHz频带上的谐振器试制结果显示，其Q值特性的峰值超过了，比以往Qmax为左右的SAW得到了大幅度的改善。（）低TCF：它通过同时控制线膨胀系数和声速来实现良好的温度特性。以往SAW的TCF转换量非常大（约为ppm/℃），而 I.H.P.SAW可将其改善至±ppm/℃以下。（）高散热性：向RF滤波器输入大功率信号后IDT会产生热量，输入更大功率则可能因IDT发热而破坏电极，从而导致故障。 I.H.P.SAW可将电极产生的热量效能高地从基板一侧散发出去，可将通电时的温度上升幅度降至以往SAW的一半以下。低TCF和高散热性两种效果，使其在高温下也能稳定工作。三、新型体声波滤波器目前市面上的体声波滤波器基本上基于多晶薄膜工艺。而初创公司Akoustis Technologies, Inc.发明的Bulk ONE? BAW技术是采用单晶AlNonSiC谐振器，据称性能能够提升%。图单晶硅BAW技术针对高频应用 Akoustis技术公司(前称为Danlax,Corp.)是根据美国内华达州法律于年月日注册成立，总部设在北卡罗来纳州的亨茨维尔。年月日，公司更名为Akoustis技术公司。年月，登陆纳斯达克。目前Akoustis已经宣布推出了三款商用滤波器产品：其中一款是用于三频WiFi路由器应用的商用. GHz BAW RF滤波器；第二款是针对雷达应用的. GHz BAW RF滤波器；第三款AKF 是针对未来G LTE和G移动设备. GHzBAW RF滤波器四、封装微型化滤波器的封装微型化主要是指的是采用晶圆级封装技术。 Qorvo的CuFlig互联技术使用铜柱凸点代替线焊。晶圆级封装滤波器取消了陶瓷封装，可以实现尺寸更小，设备更轻薄。图CuFlip技术相对于线焊的比较优势 RF公司DSSP（DieSized SAW Packaging，裸片级声表封装）和TFAP技术（ThinFilm Acoustic Packaging，薄膜声学封装技术)，实现了产品微型化，并可提供in，甚至in的滤波器模组。不同产品类别的新的标准封装尺寸：双工器.mm*.mm，in滤波器：.mm*.mm，单一滤波器：.mm*.mm。图RF声表滤波器、双工器和多工器的微型化图 DSSP封装图解图采用TFAP技术的BAW滤波器五、射频前端集成化模块化国际大厂一直致力于射频前端的集成化及模块化，比如高通RF方案；Murata将滤波器、RF开关、匹配电路等一体化的模块；Qorvo RF Fusion解决方案等。高通POPD设计采用先进的D封装技术，单一封装内集成了单芯片多模功率放大器和天线开关（AS），并将滤波器和双工器集成到一个单一基底中，然后将基底置于基础组件之上，整合成一个单一的“D”芯片组组合，从而降低了整体的复杂性，摒弃了当今射频前端模块中常见的引线接合。图高通射频POP D设计CMOS前端 Qorvo RFFusion解决方案包含三种模块化解决方案，实现高、中、低频段频谱区域全覆盖。各模块都集成了功率放大器 (PA)、开关和滤波器。图 Qorvo 多模块组成的 RF Fusion解决方案伊莱专业致力于滤波器、电抗器、变压器的研发及制造，并提供谐波治理、无功补偿、电磁干扰等电能质量一体化解决方案。**提供电磁兼容设计整改技术咨询，主营各种型号电源端口和抗干扰遏制的滤波防护组件。伊莱也是年出名滤波器厂家之一，十分注重技术开发和技术创新，在用户中一直享有较高声誉。（文章来源于网络，版权归原作者，侵删）

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